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参数目录44060
> FDD86113LZ MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
型号:
FDD86113LZ
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDD86113LZ PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
104 毫欧 @ 4.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
285pF @ 50V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD86113LZ-ND
FDD86113LZFSTR
查看FDD86113LZ代理商
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